Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Epitaxie und Wachstum (III)

O 38.3: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:45–12:00, H43

Untersuchungen zum Wachstumsverhalten von MnBi auf Si(111) — •Uta Deffke, G. Ctistis, J. Paggel und P. Fumagalli — Institut für Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin

Vorgestellt werden Untersuchungen zum Wachstumsverhalten von MnBi auf Si(111)−7× 7 unter UHV-Bedingungen. Neben dem bisher üblichen Herstellungsverfahren als dicke Doppellagen Mn auf Bi mit anschliessendem Temperprozess wurde u.a. auch die umgekehrte Schichtabfolge studiert, also Bi auf Mn.

Die Charakterisierung der 20 bis 40 nm dicken Schichten erfolgte mittels RHEED, SPA-LEED, AES und TEM. Es konnten zwar - auch nach verschiedenen Temperprozessen - keine Anzeichen einer Bildung von c-Achsen texturiertem MnBi gefunden werden. Dennoch ergaben sich interessante Wachstumseigenschaften der beiden Materialien. Die bei Raumtemperatur aufgebrachten Schichten zeigen jeweils charakteristische polykristalline Strukturen in den RHEED-Bildern. Dabei bildet Bi auf dem Si-Substrat Inseln, die von einem Mn-Mantel umgeben werden. Wird dagegen zuerst Mn und dann Bi aufgedampft, so erhält man zwei geschlossene, relativ glatte Schichten. Tempern der Proben führt zu teilweise sehr komplexen Beugungsbildern und zum Aufschwimmen von Si. Dabei formiert sich die Oberfläche derart, dass LEED-Bilder eine scharfe √3× √3-Struktur zeigen.