Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Epitaxie und Wachstum (III)

O 38.5: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 12:15–12:30, H43

Wachstum von ultradünnen Ag-Filmen auf wasserstoffpassivierten Si(111)-Oberflächen — •Thorsten Müller und Hermann Nienhaus — Laboratorium für Festkörperphysik der Gerhard-Mercator-Universität Duisburg

Das Wachstum von ultradünnen Ag-Filmen auf H:Si(111)-(1x1)-Oberflächen wurde im Temperaturbereich zwischen 200 und 300K mittels Beugung niederenergetischer Elektronen, Rasterelektronen- und Rasterkraftmikroskopie, Auger-Elektronen-Spektroskopie, Photoemissionsspektroskopie und Elektronen-Energie-Verlustspektroskopie (HREELS) untersucht.

Unabhängig von der Substrattemperatur zeigen alle Filme ein Stranski-Krastanov-Wachstum. Bei einer nominellen Bedeckung von 20-30 ML kommt es bei tiefen Temperaturen zu einem Zusammenwachsen der Inseln, welches bei hohen Temperaturen ausbleibt. Bei tiefen Temperaturen weisen zudem die Filme eine (111)-Orientierung parallel zu der des Substrats auf, während bei Zimmertemperatur keine kristalline Orientierung zu beobachten ist.

Bei einer nominellen Bedeckung zwischen 0 und 4ML zeigen die HREEL-Spektren der Filme eine zusätzliche Struktur, welche aus dem Oberflächenplasmon bei 3,76eV abspaltet und sich mit zunehmender Schichtdicke zu einer Energie von ca. 1eV verschiebt.