Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 40: Oxide und Isolatoren (II)

O 40.1: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:15–11:30, H45

Tieftemperatur-STM-Strukturuntersuchungen der Oberflächen-Terminierung von auf NiAl(110) aufgewachsenen Al₂O₃-Filmen — •Gustavo Ceballos, Z. Song, J.I. Pascual, M. Hansmann, H.-P. Rust, H. Conrad, M. Bäumer und H.-J Freund — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin, Germany

Es ist bekannt, daß sich durch Oxidation der NiAl(110)-Oberfläche ein geordneter Al₂O₃-Film von ca. 5 Å Dicke ausbildet. Die geometrische und elektronische Struktur von solchen Filmen ist bereits ausführlich untersucht worden[1]. Aus LEED-Untersuchungen wurde die Elementarzelle der Oxidüberstruktur bestimmt, eine endgültige Klärung ihrer inneren Struktur hat sich aber aus experimentellen Gründen als problematisch erwiesen. Uns ist es gelungen, mit Hilfe eines bei ≈ 4 K betriebenen Rastertunnelmikroskops die atomare Basis der Al₂O₃-Elementarzelle in der oberste Atomlage direkt zu bestimmen. Bei einer Tunnelspannung von -100 mV gelang eine atomar aufgelöste Abbildung der oberste Atom-Schicht. Mit Hilfe von Autokorrelationsbildern konnte sowohl die Elementarzelle aus dem STM-Bild abgeleitet als auch die Position der Atome innerhalb der Einheitszelle bestimmt werden. Die oberste Atomlage, die gemäß [1] sauerstoffterminiert ist, zeigt eine hexagonale Anordnung der Atome, die aber lateral deformiert ist. Ebenfalls erkennbar ist eine deutliche Korrugation der oberste Lage.
R.M.Jaeger et al, Surf. Sci. 259 (1991) 235.