Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 40: Oxide und Isolatoren (II)

O 40.2: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:30–11:45, H45

Rastertunnelspektroskopie an einem Aluminiumoxidfilm auf Ni₃Al(111) — •Stefan Degen¹, Thomas Maroutian², Conrad Becker¹, Klaus Wandelt¹ und Richard Berndt² — ¹Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstr. 12, 53115 Bonn — ²Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel, Olshausenstr. 40, 24098 Kiel

Ein bei einer Temperatur von 1000 K in einer Sauerstoffatmosphäre auf einer Ni₃Al(111)-Oberfläche gewachsener doppellagiger Aluminiumoxidfilm wurde mittels Tieftemperaturrastertunnelmikroskopie- und Spektroskopie untersucht. Die Rastertunnelbilder zeigen von der Probenspannung abhängige langreichweitige hexagonale Überstrukturen. Bei Probenspannungen von 3,2 V und höher erkennt man eine Einheitszelle mit einer Gitterkonstanten von 2,6 nm (Netzwerkstruktur), bei Spannungen um 2,3 V dagegen eine Einheitsmasche von 4,5 nm (Punktstruktur). Die Punktstruktur erweist sich als (√3×√3)R30^∘-Überstruktur der Netzwerkstruktur. Die elektronischen Eigenschaften, die zu diesem Abbildungsverhalten führen, wurden lokal an charakteristischen Punkten der Oxidstruktur mittels Rastertunnelspektroskopie untersucht. Die Rastertunnelspektren korrelieren sehr gut mit zuvor gemessenen UP-Spektren und lassen eine Bandlücke des Oxids von 8,6 eV erkennen.