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O: Oberflächenphysik

O 40: Oxide und Isolatoren (II)

O 40.8: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 13:00–13:15, H45

Untersuchungen zur Kinetik der Farbzentrenbildung auf dünnen epitaktischen MgO- Schichten — •J. Kramer, C. Tegenkamp und H. Pfnür — Institut für Festörperphysik, Universität Hannover, Appelstrasse2, 30167 Hannover

Mit Hilfe von EELS-Messungen wurde die Bildung von Farbzentren in Abhängigkeit der Beschussdosis für Energien im Bereich 50- 200eV auf dünnen epitaktischen MgO- Schichten untersucht. Zur Schichtherstellung wurde Mg in einer Sauerstoffatmosphäre verdampft. Es konnten Verlustpeaks bei 1.3, 2.8 und 3.5eV aufgelöst werden. Alle drei Defektbanden zeigen generell eine vergleichbare Wachstumskinetik, daraus folgt, dass es sich nicht um Leerstellenaggregate handelt. Weiterhin ist eine exponentielle Abnahme der drei Defektbanden bei Sauerstoffangebot zu beobachten. Eine Erklärung dieser Ergebnisse ist, dass durch den Beschuss F- Zentren in Kinken-, Stufen- und Terrassenpositionen entstehen. Das Wachstumsverhalten der F-Zentrenkonzentration mit der Elektronendosis zeigt Schwellenenergien bei 50eV und 90eV. Diese Werte stimmen mit den Energieniveaus des Mg2p und Mg2s überein, die in einem ersten Schritt zur Erzeugung von F- Zentren durch den Knotek- Feibelman- Prozeß angeregt werden.