Regensburg 2002 – scientific programme

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SYPO: Plasmaoberflächentechnik – Beschichten, Ätzen und Modifizieren

SYPO VII: HV VII

SYPO VII.1: Invited Talk

Tuesday, March 12, 2002, 10:15–11:00, HS 32

Nachweis intermediärer Precursoren bei der Plasma-CVD — •Detlef Theirich — Universität-GH Wuppertal, Forschungszentrum für Mikrostrukturtechnik - fmt, Obere Lichtenplatzer Strasse 336, 42287 Wuppertal

Bei der plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung (PECVD) aus komplexen Molekülen sind in der Regel nicht diese Moleküle selbst, sondern intermediäre und zum Teil instabile Radikale oder Moleküle die Precursoren für die eigentliche Schichtbildung. Gleichzeitig ist die PECVD komplexer Moleküle in den meisten Fällen volumen- bzw. flusslimitiert. In solchen Fällen wird die Geschwindigkeit und die Homogenität des Schichtwachstums von der Precursordichte in der Gas- bzw. Plasmaphase wesentlich beeinflusst. Der Beitrag zeigt am Beispiel des Hexamethyldisiloxans (HMDSO) wie sich mittels Massenspektroskopie (MS) und Infrarotabsorption (FTIR) solche intermediären Precursoren nachweisen und bestimmen lassen. In HMDSO-Sauerstoff-Gemischen lässt sich ein solcher Precursor bei der Masse 148 amu nachweisen, dessen molekulare Struktur durch Infrarotabsorption näher bestimmt werden konnte.