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TT: Tiefe Temperaturen

TT 15: Metall-Isolator-Überg
änge, Phasenüberg
änge in Quantensystemen I

TT 15.6: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 16:00–16:15, H20

Frequenzabhängige Leitfähigkeit des Elektronenglases Si:P — •Marc Scheffler¹, Boris Gorshunov¹, Martin Dressel¹, Erik B. Helgren² und George Grüner² — ¹1. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart — ²University of California Los Angeles, California 90095, USA

Hochdotiertes, aber noch isolierendes Silizium in der Nähe des Metall-Isolator-Überganges ist ein Modellsystem für elektronische Glaszustände. Wir haben die Frequenzabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von Si:P-Proben mit Konzentrationen zwischen 0.34 und 3.3·10¹⁸ cm⁻³ bei Frequenzen bis ca. 1 THz bei ⁴He-Temperaturen gemessen. Diese Messungen werden mit der theoretischen Vorhersage für die frequenzabhängige Leitfähigkeit eines Coulomb-Glases von Efros und Shklovskii verglichen und Abweichungen diskutiert.