Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 8: Mesoskopische Systeme I
TT 8.6: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 11:00–11:15, H20
Inelastische Relaxationsprozesse und Rauschtemperatur in S/N/S-Kontakten — •C. Hoffmann, F. Lefloch und M. Sanquer — CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France
Wir untersuchen elektronische Relaxationsprozesse in diffusiven
Supraleiter(S) - Normalleiter(N) - Supraleiter(S) - Kontakten in
Abhängigkeit von der Länge L des Normalmetalls (4, 10, 60 µ
m) bei sehr tiefen Temperaturen (100mK).
Durch Messung des Stromrauschens bestimmen wir die Abhängigkeit der
effektiven Elektronentemperatur Te im Normalmetall von der
Polarisationsspannung V. In den kürzesten Proben führen Multiple
Andreev Reflexionen zu einem raschen Anstieg von Te mit V, was von
uns unter Berücksichtigung der Elektron - Elektron - Wechselwirkung
quantitativ analysiert wird[1]. Für die längeren Proben integrieren
wir zusätzlich die Elektron - Phonon - Wechselwirkung in die
Modelle.
Da die Phasenkohärenzlänge LΦ<L verhalten sich die S/N/S -
Kontakte bei Transportmessungen äquivalent zu zwei inkohärent
verbundenen S/N - Kontakten, was sich durch einen Wiedereintrittseffekt
des Widerstandes[2] manifestiert. Die Kenntnis von Te(V) ermöglicht
einen direkten Vergleich von Spannungs- und Temperaturabhängigkeit
dieses Kohärenzhänomens.
Die Komplementarität der Rausch- und Transportmessungen macht die
unterschiedliche Wirkung von quasielastischen und inelastischen Stoßprozessen deutlich.
[1] E.V. Bezuglyi et al., Phys. Rev. B 63, 100501 (2001).
[2] P. Charlat et al., Phys. Rev. Lett. 77, 4950 (1996).