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DF: Dielektrische Festkörper

DF 7: Poster

DF 7.2: Poster

Mittwoch, 26. März 2003, 14:30–18:00, P2a

Temperaturabhängigkeit der Quadrupolwechselwirkung für 111-In in Saphir — •Jakob Penner und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14–16, 53115 Bonn

Die Quadrupolwechselwirkung von ¹¹¹In nach Implantation in Saphir wurde von verschiedenen Gruppen mit Hilfe der PAC untersucht [1,2]. Es zeigte sich, dass nach 30min Tempern bei 873K ca. 50% der Sonden auf weitgehend ungestörten Gitterplätzen eingebaut sind und einer Quadrupolwechselwirkung von 218(3)MHz unterliegen [2].

Messungen in [3] bestätigen diesen Wert und ergaben, dass der Anteil f_u der Sonden auf diesen ungestörten Gitterplätzen nach der Implantation ein Maximum hat und Tempern bei bis zu 1273K 120s lang dazu führt, dass sich f_u bis auf 8% verringert.

Wir haben speziell Messungen bei erhöhter Probentemperatur durchgeführt.

Ab einer Probentemperatur von 760K steigt f_u stark und erreicht bei 973K ein Maximum von 100%. Dieses Verhalten ist vollständig reversibel, d.h. bei einer erneuten Messung bei 500K fällt f_u wieder auf unter 5%.

Ein ähnlicher Verlauf wurde für ¹¹¹In in GaN gefunden [4]. Mögliche Ursachen dieses Verhaltens werden diskutiert.

[1] J.Kesten; Hyp. Int. 52(1989)17

[2] S.Habenicht; Hyp. Int. 120–121(1999)445

[3] K.Lorenz, Dissertation, Univ. Bonn, 2002

[4] K.Lorenz; Appl. Phys. Lett. 80(2002)4531