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DS: Dünne Schichten

DS 15: Organische Schichten

DS 15.1: Vortrag

Mittwoch, 26. März 2003, 16:45–17:00, GER/38

Wachstum und Struktur epitaktisch gewachsener Pentacenschichten auf Cu(110) — •Sandra Söhnchen, Simon Lukas und Gregor Witte — Physikalische Chemie I, Ruhr-Universität Bochum

Molekularelektronik auf der Basis organischer Halbleiter hat in der jüngeren Vergangenheit großes Interesse hervorgerufen. Die erreichbaren Ladungsträgerbeweglichkeiten werden im Wesentlichen durch Trap-Zustände an Korngrenzen limitiert, so dass die Präparation kristalliner Schichten hoher Qualität erforderlich ist, aber bisher noch nicht realisiert wurde. Es zeigt sich, dass die Struktur der auf metallischen Substraten aufgewachsenen organischen Filme maßgeblich durch die Morphologie der Monolagenkeimschicht bestimmt wird. Im Falle der anisotropen Cu(110)-Oberfläche können hochgeordnete Pentacen-Monolagen abgeschieden werden, die eine effektive Vermeidung von Rotationsdomänen erlauben und sich ideal als Nukleationsschichten für das Wachstum von hochgeordneten Pentacen-Schichten eignen. In dieser Studie wurde das Wachstum und die Struktur von Pentacen-Schichten auf einer Cu(110)-Oberfläche in-situ mittels Helium-Atom-Streuung (HAS), LEED und XPS als Funktion der Schichtdicke untersucht. Besondere Bedeutung kommt hierbei der He-Beugung zu, da sie einerseits eine hohe Winkelauflösung bietet und andererseits Strahlenschäden aufgrund der thermischen Energie der He-Atome vollständig ausgeschlossen werden können. Durch geeignete Wahl der Substrattemperatur wird das Wachstum thermodynamisch kontrolliert, so dass epitaktische Pentacen Filme hergestellt werden können.