Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 18: Ionenstrahlverfahren I – Schichtherstellung und Schichtwachstum

DS 18.3: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 15:45–16:00, GER/37

Herstellung hochwertiger Galliumnitrid-Schichten mit ionenstrahlgestützter MBE — •S. Sienz, J.W. Gerlach, T. Höche, A. Sidorenko und B. Rauschenbach — Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstraße 15, 04303 Leipzig

Um hochqualitative Galliumnitrid-Schichten mit glatter Oberfläche herzustellen, wurde die Technik der ionenstrahlgestützten Molekularstrahlepitaxie angewandt. Es wurden GaN-Schichten auf 6H-SiC bei einer Substrattemperatur von 630 ^∘C sowohl mit Molekularstahlepitaxie (MBE) als auch mit ionenstrahlgestützter MBE hergestellt, um den Einfluss einer zusätzlichen niederenergetischen Ionenbestrahlung auf die Epitaxie der GaN-Schichten zu untersuchen. Die Stickstoffionen, deren Energie im Bereich zwischen 5 und 25 eV lag, wurden mit Hilfe einer Hohlanoden-Ionenquelle erzeugt.

Analysiert wurden die Schichten anhand von Röntgenbeugungsmessungen, Rutherford-Rückstreu-Messungen (RBS) sowie mit Transmissions-Elektronenmikroskopie (TEM).

Die Verbesserung der kristallinen Qualität der Schichten kann gedeutet werden, wenn man berücksichtigt, dass ein zusätzlicher Energie- und Impulseintrag in den Oberflächenbereich der wachsenden Schicht zu einer höheren Mobilität der Oberflächenatome und dadurch zu einer Reduzierung der Gitterdefekte führt.