Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 18: Ionenstrahlverfahren I – Schichtherstellung und Schichtwachstum

DS 18.4: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 16:00–16:15, GER/37

Neue Entwicklunngen bei der massenseparierten Ionenstrahldeposition dünner Schichten — •Holger Stillrich, Sören Eyhusen, Carsten Ronning, Inga Gerhards und Hans Hofsäss — 2. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen

Die massenseparierte Inonenstrahldeposition (MSIBD) bietet die Möglichkeit Schichten mit (nahezu) beliebiger Zusammensetzung unter kontrollierten Depositionsbedingungen herzustellen. Daher konnten mit dieser Methode besonders erfolgreich die Wachstumsprozesse von diamantähnlichen Materialien studiert werden. Auf Grund geringer Ionenströme und kurzlebiger Ionenquellen waren die Schichtgrößen und -dicken bisher auf 1cm² bzw. 100nm begrenzt. In dieser Präsentation wird ein Beschleuniger vorgestellt, der vom Implanter zu einer Depositionsanlage umgebaut wurde und langzeitstabil eine Vielzahl von neuen Elementen liefert. Dies wird an Beispielen von (Au-haltigen) amorphen Kohlenstoff- und Aluminium-Nitrid-Schichten demonstriert. Solche Schichten wurden zusätzlich mittels Rutherford-Rückstreuung (RBS), Profilometrie, TEM, Ramanspektroskopie und Härtemessung untersucht. Die Ergebnisse werden in diesem Beitrag vorgestellt.