Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 18: Ionenstrahlverfahren I – Schichtherstellung und Schichtwachstum

DS 18.6: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 16:30–16:45, GER/37

Kombinatorische Ionenstrahlsynthese vergrabener II-VI Nanokristalle — •Ingo Großhans, Helmut Karl und Bernd Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg, Deutschland

In diesem Beitrag präsentieren wir eine Target End Station für die kombinatorische Ionenstrahlsynthese optisch aktiver nanokristalliner CdSe Ausscheidungen.

Auf Grund der großen Anzahl möglicher Parameterkombinationen bei der Herstellung (z.B. Dosis, Stöchiometrie, Temperatur usw.), ist sowohl eine schnelle Synthesemethode, als auch ein Analyseverfahren mit hohem Durchsatz nötig.

Dazu ist die von uns entwickelte Implanterendstation mit zwei gekreuzten, rechnergesteuerten Blenden ausgestattet, die es erlauben, in einen bis zu 100 mm großer Wafer ein schachbrettartiges Dosis- und Stöchiometrieraster zu implantieren. Als Substratmaterial wurde thermisch gewachsenes Siliziumdioxid auf Silizium verwendet. Durch einen nachfolgenden Temperschritt in einem RTP Ofen wurde die chemische Reaktion der implantierten Materialen initiiert.

Um eine Datenbank der Photolumineszenseigenschaften (PL) zu erhalten, können die verschiedenen Felder des Wafers rechnergesteuert in einem optischen Kryostat gemessen werden. Ausgehend von dieser Datenbank werden die Proben mit den interessantesten PL-Eigenschaften mittels SIMS, RBS, XRD und TEM untersucht.