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DS: Dünne Schichten

DS 23: Elektrische und optische Eigenschaften II

DS 23.11: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2003, 17:45–18:00, GER/38

Photolumineszenz-Untersuchungen an Niedertemperatur homoepitaktisch gewachsenen dünnen Siliziumschichten — •Kai Petter, Christoph Böhme, Björn Rau, Stefan Gall, Klaus Lips und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Kekuléstr. 5, Abt. Silizium-Photovoltaik, D-12498 Berlin, Germany

Mit Hilfe der Elektron-Zyklotron Resonanz unterstützten Gasphasenabscheidung (ECR-CVD) können kristalline Siliziumschichten (c-Si) exzellenter kristallografischer Qualität auf (100)-orientierte Si-Substrate bei Temperaturen deutlich unterhalb der Glaserweichungstemperatur homoepitaktisch aufgewachsen werden. Dieser Schritt ist für die späteren Realisierung von c-Si Dünnschichtsolarzellen auf Glassubstraten notwendig.

Mit zunehmender Schichtdicke entwickeln sich strukturelle Defekte und Inhomogenitäten, die einen negativen Einfluss auf die elektronischen Eigenschaften der Schichten haben. In diesem Beitrag werden erste Ergebnisse von Photolumineszenzmessungen (PL) an einer Schichtdickenserie solcher Proben, die bei einer Temperatur von 510 ^oC hergestellt wurden, vorgestellt. Die Messungen wurden in einem Temperaturbereich von 5 bis 300 K durchgeführt. In den Spektren zeigen sich mehrere aus der Schicht stammende PL-Banden, deren Ursprung diskutiert und mit der strukturellen und elektronischen Qualität der Schichten korreliert wird.