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DS: Dünne Schichten

DS 24: Poster

DS 24.38: Poster

Dienstag, 25. März 2003, 14:30–17:00, P2a

Plasma-CVD-Synthese von c-BN in fluorhaltigen Gasgemischen — •Michael Gross¹, Lars Ulrich¹, Harm Wulff² und Achim Lunk¹ — ¹Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart — ²Institut für Chemie und Biochemie, E.-M.-A.-Universität Greifswald, Soldmannstrasse 16/17, 17487 Greifswald

Im Gegensatz zur plasmagestützten PVD von kubischem Bornitrid (c-BN) besteht bei chemischen Wachstumsmethoden die Aussicht, Schichten mit niedrigen inneren Spannungen abzuscheiden. In diesem Beitrag werden Untersuchungen zum c-BN Schichtwachstum und - ätzen unter Plasma-CVD Bedingungen mitgeteilt. c-BN- Schichten wurden auf Silizium in einem C_xF_y/H₂/N₂/Ar-Gasgemisch hergestellt. Die Diagnose der Wachstums-/Ätzprozesse erfolgte durch in situ FTIR-Reflexionsspektroskopie. Durch Variation der Biasspannung und der Gaszusammensetzung konnten die Grenzwerte für den Beginn der c-BN Nukleation und den Umschlagpunkt c-BN → h-BN ermittelt werden. Ebenso ergaben sich durch Variation der Biasspannung bei konstantem C_xF_y- bzw. H₂- Partialdruck die chemischen bzw. physikalischen Anteile der Ätzrate von BN-Schichten.

Die Schichten zeigten Eigenspannungen im Bereich von 7-20 GPa, untersucht mit XRD bzw. durch Messung der Substratverbiegung.