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DS: Dünne Schichten

DS 24: Poster

DS 24.48: Poster

Dienstag, 25. März 2003, 14:30–17:00, P2a

TEM-Untersuchungen an Si-CrSi₂ Multilagen — •E. Loos¹, A. Mogilatenko¹, D. Decker¹, G. Beddies¹, H.-J. Hinneberg¹ und J.S. Schumann² — ¹Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz, Deutschland — ²Leibnitz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung, Abt. Dünnschichtsysteme und Nanostrukturen, 01171 Dresden, Deutschland

Aufgrund seiner chemischen und thermischen Stablilität sowie thermoelektrischen Eigenschaften besitzt CrSi₂ ein hohes Potential für thermoelektrische Anwendungen. Es hat sich gezeigt, dass besonders hohe thermoelektrische Effektivitäten (ZT) für Multilagenschichten erreicht werden, da hier eine zusätzliche Streuung der Phononen an Grenzflächen erfolgt. Durch alternierendes Zerstäuben von getrennten Si- und CrSi₂-Targets wurden Silizid/Silizium-Multilagenstrukturen mit verschiedenen Zusammensetzungen (CrSi_{2± x}) der Silizidschicht abgeschieden. Als Substrate wurden 3″ Si(001)-Scheiben mit 1µm thermischen Oxid verwendet. Zur Charakterisierung der Multilagen wurden TEM-Querschnittsaufnahmen, Beugungsaufnahmen und energiegefilterte Abbildungen (EELS) genutzt. Nach der Abscheidung sind alle Schichten amorph. Zur Optimierung der Abscheideparameter sowie der Charakterisierung des Kristallisationsverhaltens der CrSi_2+x- bzw. Si-Teilschichten wurden die Stapelsysteme in einer RTA-Anlage bei unterschiedlichen Temperaturen (450^∘C ...1000^∘C) getempert. Es wurden die so erhaltenen kristallinen Strukturen und Kristallitgrößen der Einzellagen sowie deren Dicke in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht.