Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Poster
DS 24.6: Poster
Dienstag, 25. März 2003, 14:30–17:00, P2a
Wachstum dünner PrxOy-Schichten auf Si(100) mittels PLD: Einfluss der Wachstumsparameter — •Mathias Kappa, Dirk Wolfframm, Markus Ratzke und Jürgen Reif — IHP/BTU JointLab und BTU Cottbus, LS Experimentalphysik II, Universitätsplatz 3-4, 03044 Cottbus
Wir berichten über die Herstellung von high-k Praseodymiumoxid-Schichten auf Si(100) Substraten mittels Pulsed-Laser-Deposition (PLD). Als Target wurde gesintertes Pr6O11 Material eingesetzt. Oberflächenstruktur-Untersuchungen (SEM, AFM, Lichtmikroskop) zeigen, dass die Qualität der PrxOy-Schichten stark von den Wachstumsparametern, insbesondere der Substrattemperatur und der Laserwellenlänge, abhängen. Andere Laserparameter wie Pulsenergie bzw. Pulswiederholrate spielen eine untergeordnete Rolle. Allerdings hat die Pulsenergie Einfluss auf die Wachstumsrate. Partikel (splashes), deren Größe mit der Wellenlänge des verwandten Laserlichtes korreliert, wurden auf der Oberfläche nachgewiesen. Eine maximale Dichte der Splashes auf der PrxOy-Oberfläche liegt bei Nutzung der konventionellen on-axis PLD-Technik vor. Eine zweite Art von Oberflächenstrukturen entsteht mit steigender Substrattemperatur. Bei einer Substrattemperatur von 900 ∘C bilden sich Kristallite aus, die mit der Orientierung des Si-Substrates korrelieren.