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DS: Dünne Schichten

DS 24: Poster

DS 24.7: Poster

Dienstag, 25. März 2003, 14:30–17:00, P2a

Herstellung von SiC und B4C/SiC - Schichten mittels Laserablation und Charakterisierung — •Timo Körner, Andreas Heinrich und Bernd Stritzker — Universität Augsburg, Experimentalphysik IV

Die Stärke der gepulsten Laserablation liegt einerseits im stöchiometri- schen Übertrag des Targetmaterials auf das Substrat. Andererseits sind unterschiedlichste Materialkompositionen unabhängig von ihrem Dampfdruck abscheidbar. Das Halbleitermaterial SiC eignet sich aufgrund seiner besonderen physikalischen Eigenschaften für die Herstellung elektronischer Bauteile, die bei wesentlich höheren Temperaturen, Frequenzen und elektrischen Stromdichten betrieben werden können, als konventionell eingesetzte Halbleiterbauelemente. Darüber hinaus ist für die Deposition von anderen harten Materialien wie B4C auf Si eine SiC Zwischenschicht notwendig, die als Diffusionsbarriere wirkt. Mit der gepulsten Laserablation haben wir zunächst Kohlenstoff auf Silizium abgeschieden, wobei diese Schicht die Grundlage für die B4C Deposition bildete. Die Filme wurden mittels XRD, RBS, REM und AFM charakterisiert. Über die Ergebnisse wird berichtet.