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DS: Dünne Schichten

DS 6: Silicidschichten

DS 6.3: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 11:30–11:45, GER/38

In-situ Röntgendiffraktometrie bei der Temperung von Mo-Si-Multilagenschichten — •Anke Köhler, Jürgen W. Gerlach, Yvonne Bohne, Thomas Höche und Thomas Chasse — Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig

Mo-Si-Multilagenschichten für die Anwendung als Spiegel im EUV-Bereich wurden mittels Ionenstrahlsputterdeposition abgeschieden. Ihre thermische Stabilität spielt sowohl für die Anwendung bei starkem Energieeintrag durch das EUV-Licht als auch für die Optimierung des Herstellungprozesses eine entscheidende Rolle. Mit der in-situ Röntgendiffraktometrie können sowohl Temperatur- als auch die damit verbundene zeitliche Stabilität detailliert untersucht werden. Ergänzend werden ungetemperte und getemperte Proben mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie charakterisiert.

Die ungetemperte Probe besteht aus einem 50-er Stapel einer Mo-Si-Doppelschicht, wobei die Übergangsschichten an der Grenzfläche zwischen Mo und Si aus MoSix gebildet werden. Während die Si- Schichten und Übergangsbereiche weitgehend amorph sind, zeigen die Mo-Schichten eine kristalline Struktur mit einer bevorzugten (110)-Orientierung. Bei einer Temperung im Vakuum wird eine Verkleinerung und Verschiebung des Mo(110)-Reflexes beobachtet, was mit einer Auflösung der kristallinen Mo-Schicht aufgrund von Silizidbildung erklärt werden kann.