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DS: Dünne Schichten
DS 7: Harte Schichten I
DS 7.1: Invited Talk
Monday, March 24, 2003, 14:30–15:15, GER/38
Der plasmagestützte chemische Weg zur Niederdrucksynthese von kubischem Bornitrid — •A. Lunk und M. Gross — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart
Kubisches Bornitrid wird z. Zt. industriell durch Hochtemperatur- Hochdrucksynthese hergestellt. In der Hochtemperatur- Niederdrucksynthese sind die Phasenübergangsgrenzen c-BN/h-BN momentan nicht eindeutig geklärt. Eine Alternative zu den Systemen im thermodynamischen Gleichgewicht ist die plasmagestützte chemische Dampfabscheidung, bei der es gelingt, Schichten bis zu 25 µm Dicke im Plasma abzuscheiden. Die wichtigsten bekannten plasmachemischen Kenngrößen dieses Verfahrens werden in diesem Beitrag vorgestellt und diskutiert. Die eigenen Untersuchungen konzentrieren sich auf die plasmachemische Abscheidung im CxFy/H2/N2/Ar-Gasgemisch bei sehr niedrigen Drücken (Pa- Bereich). Es gelang, Schichten mit einer deutlich reduzierten Eigenspannung gegenüber den physikalischen Verfahren herzustellen und zu analysieren. Aus der Untersuchung des Ätzverhaltens von BN im H2/Ar− und CxFy/Ar− Gemisch kann der Einfluss dieser Spezies auf das Wachstum von c-BN/h-BN geschlossen werden. Die Ätzratenergebnisse werden verglichen mit den theoretischen Voraussagen zur chemischen Reaktion von Wasserstoff und Fluor auf das Wachstum von BN.