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DS: Dünne Schichten

DS 8: Harte Schichten II

DS 8.1: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 15:15–15:30, GER/38

Zum Mechanismus des Wachstums von c-BN Schichten — •Hans Hofsäss, Carsten Ronning, Soeren Eyhusen und Chan Chit Yiu — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstrasse 7-9, 37073 Göttingen

Das Wachstum von c-BN mittels ionengestützter Depositionsverfahren oder Ionendeposition erfolgt üblicherweise nach Nukleation an einer texturierten t-BN Zwischenschicht und erfordert Ionenenergien von mindestens 60 eV. Neuere Messungen zeigen aber auch, dass c-BN Wachstum selbst bei Ionenenergien von 20 keV noch möglich ist. Ionengestütztes c-BN Wachstum lässt sich also am besten durch Volumenprozesse wie Subplantation und Thermal Spikes beschreiben. Matsumoto et al. und Bello et al. ist es gelungen über Plasmaverfahren mit z.B. H₂-BF₃-N₂-Ar-He Gasgemsich dicke, stressarme c-BN Schichten abzuscheiden. Substrattemperaturen um 1000 ∘C und die Fluorchemie scheinen dabei eine wichtige Rolle zu spielen. Interessant ist, dass auch hier eine t-BN Zwischenschicht gebildet wird und ein Substratbias notwendig ist, also energetische Ionen massgeblich das c-BN Wachstum bestimmen. Im Vortrag wird diskutiert, warum trotz dieser Analogien bei der Plasmadeposition und der ionengestützten Deposition von c-BN unterschiedliche Wachstumsprozesse zugrunde liegen.