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HL: Halbleiterphysik

HL 11: SiC I

HL 11.4: Vortrag

Montag, 24. März 2003, 16:00–16:15, BEY/154

Überwachsen von Fullerenmolekülen mit Silizium — •Florian Hutterer, Tanja Stimpel, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele — Institut für Physik, Fakultät für Elektrotechnik, Universtiät der Bundeswehr München, 85577 Neubiberg

Wir berichten über Untersuchungen zum Einbetten von C₆₀-Molekülen in einkristallines Silizium. Fullerene werden auf Si(100)- und Si(111)-Oberflächen aufgebracht und anschliesend mit Silizium überwachsen. Für einen Bedeckungsgrad der Oberfläche mit Fullerenen von unter 50% konnte eine einkristalline Silizium-Deckschicht erzielt werden. Ferner ist es möglich, durch thermische Behandlung der Oberfläche Siliziumcarbid zu erzeugen. Die von uns hergestellten Strukturen wurden während und nach ihrer Präparation mittels STM, AES, XPS und TEM charakterisiert. Erste Messungen zu den elektrischen Eigenschaften werden ebenfalls vorgestellt.