HL 11: SiC I
Monday, March 24, 2003, 15:15–17:00, BEY/154
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15:15 |
HL 11.1 |
Diffusion von Silizium in isotopenangereichertem Siliziumkarbid — •Kathrin Rüschenschmidt, Hartmut Bracht, Michael Laube, Nicolaas Stolwijk, Gerhard Pensl und George Brandes
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15:30 |
HL 11.2 |
Hallstreufaktor für Löcher in Aluminium-dotiertem 4H- und 6H-SiC — •Frank Schmid, Michael Laube, Gerhard Pensl und Günter Wagner
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15:45 |
HL 11.3 |
Wachstum von Phosphor-dotierten 6H-SiC Einkristallen nach der Modifizierten Lely-Methode — •Kurt Semmelroth, F. Schmid, D. Karg, G. Pensl, M. Maier, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
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16:00 |
HL 11.4 |
Überwachsen von Fullerenmolekülen mit Silizium — •Florian Hutterer, Tanja Stimpel, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele
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16:15 |
HL 11.5 |
Hydrogen saturated a-planes of 4H-SiC studied by LEED, SXPS, and FTIR-ATR — •Th. Seyller, L. Ley, A. Taddich, J.D. Riley, and R.G.C. Leckey
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16:30 |
HL 11.6 |
Characterization of ALCVD-Al2O3 thin films on 6H-SiC(0001) — •K.Y. Gao, F. Ciobanu, Th. Seyller, L. Ley, G. Pensl, A. Taddich, J.D. Riley, and R.G.C. Leckey
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16:45 |
HL 11.7 |
Kohlenstoff-Cluster in SiC: Bildung und Eigenschaften — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov
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