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Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.11: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Spontane Selbstordnung in In0.75Ga0.25As0.5P0.5 auf atomarer Skala — •S. Kagel1, M. Wenderoth1, T. C. G. Reusch1, J. Spieler2, S. Neumann3 und R. G. Ulbrich11IV. Phys. Inst. der Univ. Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 2Inst. für Technische Physik I, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — 3Fachgebiet Halbleitertechnik, Gerhard-Mercator-Univ. Duisburg, Lotharstr. 55, ZHO, 47057 Duisburg

Ordnung in ternären und quaternären III-V-Halbleitern ist seit längerer Zeit Gegenstand intensiver Forschung [1]. Mit Hilfe von Querschnitts-Rastertunnel-Mikroskopie (XSTM) haben wir teilgeordnetes In0.75Ga0.25As0.5P0.5 auf atomarer Skala studiert. An Hand unterschiedlicher elektronischer Kontraste der nicht äquivalenten (110)- und (110)-Spaltflächen untersuchten wir die dreidimensionale Ordnungsstruktur. Konstantstrombilder für negative und positive Spannungen deuten darauf hin, dass CuPtB-Ordnung sowohl im Gruppe-III als auch im Gruppe-V-Untergitter vorliegt. Auf Nanometer-Skala wurden Legierungsfluktuationen, Ordnungsdomänen und Antiphasengrenzen beobachtet. Rastertunnelspektroskopische Untersuchungen mit Lichteinstrahlung (ne=6 · 1018 cm−3) zeigten eine homogene elektronische Struktur.
Diese Arbeit wurde gefördert im Rahmen des Sonderforschungsbereichs 602 (TP A7).

[1] A. Zunger and S. Mahajan, Handbook of Semiconductors, pg. 1399-1514, edited by T.S. Moss, Elsevier Science (1994)

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