Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.12: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Einfluß des Prägeprozesses auf die optischen und elektrischen Eigenschaften von QW Strukturen — •S. Zankovych¹, I. Maximov², I. Shorubalko², J. Seekamp¹, M. Beck², S. Romanov¹, D. Reuter³, P. Schafmeister³, A.D. Wieck³, J. Ahopelto⁴, C.M. Sotomayor Torres¹ und L. Montelius² — ¹BU Wuppertal — ²Lund University, Sweden — ³Ruhr-Universit*t Bochum — ⁴VTT, Finnland

n dieser Arbeit untersuchen wir ob eine Veränderung der optischen und elektrischen Eigenschaften des Halbleitersubstrates durch den Prozeß der Nanometer Prägelithographie (NanoImprint Lithography, NIL), insbesondere hinsichtlich der Temperatur- und Druckbelastung auftritt. Zwei Proben mit mehereren Quantentöpfen aus GaAs/Al0.3Ga0.7As und Ga0.47In0.53As/InP sowie Ga0.25In0.75As/InP wurden untersucht. Die PL und PLE Spektren wurden vor und nach dem Prägeprozeß bei 20K aufgenommen. Der Druck betrug bis zu 20 MPa und die Druck Temperatur bis zu 190C. 2DEGs wurden durch die Shubnikov-de-Haas Methode untersucht. Es wurde kein Einfluß des Prägeprozesses auf die elektrischen und optischen Eigenschaften der Halbleitermaterialien festgestellt. Diese Arbeit wird durch das EU Projekt CHANIL (IST-1999-13415) und durch die DFG finanziell unterstützt.