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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.15: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Aufbau eines MOVPE integrierten in-situ AFM / STM — •M. Breusing, R. Kremzow, B. Rähmer und W. Richter — TU-Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Momentan existieren keine Meßverfahren zur Bestimmung der Topographie von Nanostrukturen während des MOVPE-Wachstums. In unserer Arbeitsgruppe wurde ein SPM entwickelt, das den erhöhten Anforderungen der MOVPE Umgebung angepaßt ist. Dieses SPM widersteht hohen Temperaturen (Substrattemperaturen um 800 K), ist schwingungsgedämpft im Bezug auf die besondere MOVPE-hydrodynamischen Bedingungen und arbeitet mit Aufnahmezeiten von unter einer Minute. Die Sonde ist dabei so konfiguriert, dass zwischen einem in-situ AFM- mittels atomarer Kräfte und einem in-situ STM-Messmodus über den Tunnelstrom innerhalb sehr kurzer Zeit gewechselt werden kann.

Die AFM-Messapparatur nutzt auf der Verwendung der Dämpfung der Resonanzschwingung eines Schwingquarzes mit aufgeklebter Glasfasersonde aus. Wird eine metallische Sonde benutzt, ist auch die Messung des Tunnelstroms möglich. Für unsere ersten Versuche verwenden wir elektrolytisch geätzte Wolframspitzen.

Erste Testmessungen in einem MOVPE Reaktor werden gezeigt.

Dieses Projekt ist gefördert durch den Sfb296.