Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.18: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Herstellung von lateralen Bipolartransistoren mit fokussierten Ionenstrahlen — •C. Werner, C. Werner, C. Riedesel, D. Reuter, A. D. Wieck, C. Riedesel und A. D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik der Ruhr-Universität Bochum
Wir haben zweidimensionale bipolare Transistoren, d. h. Transistoren bei denen Emitter, Basis und Kollektor zweidimensionale Elektronen- (2DEGs) oder Löchergase (2DHGs) sind, durch lokale Modulationsdotierung einer GaAs/In0,02Ga0,98As/Al0,33Ga0,67As-Heterostruktur hergestellt.
Als Ausgangsmaterial wurde ein 2DHG verwendet, in dem lokal ein 2DEG durch fokussierte Implantationsdotierung mit Si erzeugt wurde. Für einen npn-Transistor wurden also Emitter und Kollektor durch Implantation definiert, während für den pnp-Transistor die Basis implantiert wurde.
Erste Messungen der Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Dioden der Transitoren sind recht vielversprechend und bei offener Basis ist die Emitter-Kollektorstrecke erwartungsgemäß sperrend. Durch ein neues Layout soll die sehr geringe Verstärkung von typisch Zwei noch verbessert werden.