Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.2: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Radiotracer-DLTS-Untersuchungen an GaAs mit Hilfe der radioaktiven Isotope 71As, 72Se und 73As — •F. Albrecht1, G. Pasold1, C. Hülsen1, M. Dietrich2, W. Witthuhn1 und die ISOLDE Collaboration3 — 1Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 3CERN, CH-1211, Geneva 23, Schweiz
Mit dem Ziel der elektrischen Charakterisierung des Ga-Antisite-Defektes GaAs in GaAs wurde das radioaktive Isotop 71As in GaAs implantiert. Im Verlauf wiederholter Deep Level Transient Spectroscopy-Messungen wurde im p-Typ GaAs ein während des radioaktiven Zerfalls zum 71Ga über 71Ge in seiner Konzentration ansteigender Bandlückenzustand (ET=EV+0.37(2)eV) beobachtet. In n-dotierten GaAs-Schichten wurden die DLTS-Spektren dominiert von einer Störstelle (ET=EC−0.67(2)eV), welche auf der Zeitskala der Elementumwandlung vom 71Ge zum 71Ga (T0.5ex 1 −0.1em/−0.15em 0.25ex 2=11.2d) abnimmt. Eine direkte Korrelation dieses Bandlücken-Niveaus mit einer isolierten Ge-Störstelle war jedoch nicht eindeutig, da der radioaktive Zerfall des Isotops 71As mit einer zur Bindungsenergie im Kristall vergleichbaren Rückstoß-Energie verbunden ist. Zusätzliche Experimente mit den Isotopen 72Se und 73As erlaubten hier durch gezielte Variation der Elementumwandlungs-bedingten Rückstoß-Energie eine Zuordnung zu einer zerfalls-induzierten, Ge-korrelierten Störstelle und somit eine eindeutige Unterscheidung von einem durch ein substitutionell eingebautes Ge-Atom verursachten Niveau.