Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.31: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Ionenimplantation in ZnO — •F. Reuß¹, C. Kirchner¹, Th. Gruber¹, R. Kling¹, S. Mascheck¹, W. Limmer¹, D. Klarer¹, K. Thonke¹, P. Ziemann², R. Sauer¹ und A. Waag¹ — ¹Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm — ²Abt. Festkörperphysik, Universität Ulm

Die Ionenimplantation ist ein gängiges Verfahren zur Dotierung von Halbleitern. Wir stellen Ergebnisse zur Dotierung des II-VI-Halbleiters ZnO mittels Implantation vor. Zunächst wurde das Ausheilverhalten des Halbleiters untersucht. Temperserien zeigen ein vollständiges Ausheilen der Implantationsschäden nach Ausheizschritten von 600-800^∘C, abhängig von der Art und Dosis der implantierten Ionen bzw. dem verwendeten ZnO-Material (Substrate, MOVPE-Schichten). Mittels optischer Untersuchungen (PL, Raman) sowie einer elektrischen Charakterisierung (CV, Hall) kann gezeigt werden, dass sich Gallium als Donator und Stickstoff als Akzeptor einbaut.

Der Einbau von magnetischen Verunreinigungen (DMS) wie V, Mn sowie Co lässt sich auch mit der Ionenimplantation erreichen. Erste Ergebnisse hierzu werden ebenfalls vorgestellt.