Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.32: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

C(V)- und DLTS-Messungen an MOVPE-ZnO — •Dietmar Klarer, Thomas Gruber, Christoph Kirchner, Andreas Waag, Klaus Thonke und Rolf Sauer — Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm

Nominell undotierte ZnO-Schichten wurde mittels MOVPE bei unterschiedlichen Wachstumsparametern gewachsen und die Hintergrund-Dotierung der Schichten wurde mit der C(V)-Methode bestimmt. Dazu wurden Schottky-Kontakte aus Silber oder flüssigem Quecksilber verwendet. Flüssiges Quecksilber gestattet eine schnelle und zerstörungsfreie Charakterisierung der Proben. Zusätzlich wurden Messungen bei unterschiedlichen Meßfrequenzen vorgestellt, um den Einfluß von Serienwiderständen auf C(V)-Messungen zu untersuchen.

DLTS-Messungen an ZnO werden zur Bestimmung der Ionisierungsenergie tiefer Störstellen einer ZnO-Schicht verwendet. Eine Störstelle mit Ionisierungsenergie von ca. 690 meV konnte beobachtet werden.