Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.35: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

DLTS Charakterisierung von dünnen ZnO PLD Filmen — •Holger von Wenckstern, Holger von Wenckstern, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain, Marius Grundmann, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain und Marius Grundmann — Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften

Die elektrischen Eigenschaften von mittels PLD epitaktisch gewachsenen ZnO-Schichten auf Saphirsubstrat wurden mittels Strom-Spannungs- (IV), Kapazitäts-Spannungs- (CV), Hall- und DLTS-Messungen untersucht. Die ohmschen Kontakte auf diesen Proben wurden durch Aufdampfen von Ti bzw. In und die Schottkykontakte durch Aufdampfen von Ag, Pd bzw. Ni hergestellt. Aus den IV und CV Messungen ergeben sich Schottkybarrierenhöhen von 550 bis 750 meV. Die Ladungsträgerkonzentration (CV- bzw. Hall-Messungen) der Schichten liegt im Bereich zwischen 10¹⁴ und 10¹⁷ cm⁻³. Temperaturabhängige CV Messungen ergeben ein Einfrieren der Ladungsträger unterhalb von 40 K, was in guter Übereinstimmung mit einer Donatorbindungsengie von 36 meV ist, die sich durch Hallmessungen ergibt. Die CV-Messsungen weisen auf eine erhöhte Ladungsträgerkonzentration nahe der Oberfläche hin. DLTS Messungen ergeben eine zusätzliche tiefe Störstelle hoher Konzentration mit einer Bindungsenergie von zirka 80 meV. Weitere noch tiefere Störstellen haben den Charakter von Rekombinationszentren.