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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.37: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Stickstoff Akzeptoren in CVD ZnO — •Bjoern Spruck¹, Arndt Zeuner¹, Helder Alvez¹, Detlev M. Hofmann¹, Bruno K. Meyer¹, Daniel Pfisterer¹, Manfred Dworzak², Martin Strassburg², Ute Haboeck² und Axel Hoffmann² — ¹I. Physikalisches Institut, Univ. Giessen — ²Institut fuer Festkoerperphysik, TU Berlin

Stickstoff ist ein aussichtsreicher Kandidat für die p-Dotierung von ZnO. Wir untersuchten die Moeglichkeiten der N-Dotierung in unserer CVD Anlage durch die Zugabe von Ammoniak. Sekundaer- Ionen-Massen-Spektroskopie und Raman-Messungen zeigen ueber- einstimmend den Einbau von N in die Schichten. In der Photo- Lumineszenz wird ein Donator-Akzeptor-Paar Uebergang mit einer Null-Phononenlinie bei 3.235 eV beobachtet. Das Intensitaets- Verhaeltnis zu den LO-Phononen-Reploken wird durch eine Poisson Verteilung mit einem Huang-Rhys-Faktor von 0.85 beschrieben. Dies ist sehr aehnlich zu Eigenschaften von N dotiertem ZnSe. Durch zeitaufgelöste und temperturabhängige Photolumineszenz- Messungen lässt sich die Akzeptor-Bindungsenergie zu 165 meV über dem Valenzband bestimmen. Eine RTA (rapid thermal annealing) Behandlung der Proben fuehrt zu einer deutlichen Zunahme der Donator-Akzeptor-Paar Rekombination.