Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.38: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Hochauflösende Röntgenbeugung an PLD- ZnO und Zn1−xMgxO Dünnfilmen auf Saphir — •Andreas Rahm, Evgeni Kaidashev, Michael Lorenz, H.-C. Semmelhack und Marius Grundmann — Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften
ZnO und Zn1−xMgxO sind vielversprechende Materialien für optoelektronische Anwendungen im nahen UV- Spektralbereich. Für die Optimierung des PLD- Züchtungsprozesses haben wir hochauflösende Röntgenmessungen (HRXRD) an ZnO- und Zn1−xMgxO- Dünnfilmen auf C-, A- und R- Saphir in Abhängigkeit des Sauerstoffpartialdruckes, der Züchtungstemperatur und der Züchtungsschritte durchgeführt. Wie schon für andere Züchtungsverfahren gezeigt [1], [2], [3] wächst ZnO auf C- Saphir (0001)||(0001) und [2110]||[1100] und [1100]||[1210], auf A- Saphir [0001]||[1120] und ⟨ 1120⟩||[0001] und auf R- Saphir (1120)||(0112) und [0001]||[0111]. Anhand der c- Gitterkonstanten demonstrieren wir, dass diese sowohl von dem mittels Rutherford Rückstreuung (RBS) bestimmten Mg- Gehalt (x=0..0.55), als auch von den PLD- Sauerstoffpartialdrücken (10−2 − 10−4mbar) abhängen. Die Mosaizität der PLD- Dünnschichten (∼ 0.1∘) wurde aus Rockingkurven gewonnen. Aussagen über die Kristallitgröße (∼ 100 nm) in texturierten PLD- Dünnschichten wurden aus den 2Theta-Omega-Scans der asymmetrischen {1014}- Reflexe gewonnen und mit Atomkraftmikroskopieaufnahmen (AFM) korreliert.
[1] Yefan Chen et al., J. Appl. Phys. 84, 3912 (1998).
[2] P. Fons et al., Appl. Phys. Lett. 77, 1801 (2000).
[3] C. R. Gorla et al., J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).