Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.3: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Magnetotransport in dotierten Ga(As,N) und (Ga,In)(N,As) Schichten — •J. Teubert, P.J. Klar, W. Heimbrodt, K. Volz, J. Koch, M. Lampalzer und W. Stolz — FB Physik und WZMW, Philipps-Universität Marburg

Der Einbau von wenigen Prozent Stickstoff in GaAs oder (Ga,In)As hat dramatische Auswirkungen auf die elektronischen Eigenschaften des Kristalls. Unter anderem bewirkt der Stickstoffeinbau eine starke Verkleinerung der Bandlücke des Wirtsmaterials, so dass (Ga,In)(N,As) Schichten mit Bandlücken von 1 eV hergestellt werden können. Solches Material ist interessant für Anwendungen in mehrschichtigen Hochleistungssolarzellen auf GaAs-Substraten. Wir haben sowohl n- als auch p-leitende Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) Schichten vor und nach der Tempern mittels Magnetotransportmessungen im Temperaturbereich von 2 K bis 300 K und in Magnetfeldern bis 10 Tesla untersucht. Die Ergebnisse werden im Hinblick auf die eingesetzten Dotanden und auf den Einfluss des Temperns diskutiert.