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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.42: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Untersuchung der Grenzfläche zwischen SiO2 und Cu-Phthalocyanin mittels Photoelektronenspektroskopie — •Dominik Olligs, Heiko Peisert, Martin Knupfer und Jörg Fink — IFW Dresden, Helmholtzstr. 20, 01069 Dresden
Im Hinblick auf die Anwendung von Oligomeren und Polymeren in „low-cost, low-performance“ Feldeffekttransistoren ist die Grenzfläche zwischen Isolationsschicht und aktiver Schicht für die Ausbildung des leitfähigen Kanals von großer Bedeutung. Phthalocyanine (Pc) sind eine gute Modellsubstanz für organische Halbleiter. CuPc-Filme wurden im UHV auf oxidierte, unterschiedlich dotierte Si-Substrate aufgedampft. Mittels XPS und UPS wurde die Grenzfläche zwischen CuPc und SiO2 hinsichtlich Grenzflächenzuständen, Grenzflächendipolen und Bandverbiegung untersucht. Es ergaben sich Hinweise auf ein Ferminiveau-Pinning.