Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.53: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

DH4T-Feldeffekt-Transistoren hergestellt mittels Sublimation oder aus Lösung — •T. Muck¹, M. Leufgen¹, J. Geurts¹, A. Lebib¹, G. Schmidt¹, L.W. Molenkamp¹, V. Wagner² und L.H. Gomes³ — ¹Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg — ²School of Engineering and Science, International University of Bremen, Campus Ring 8, D-28759 Bremen — ³University of the Algarve, Campus de Gambelas, FCT, 8000 Faro, Portugal

Organische Feldeffekt-Transistoren (OFETs) besitzen sehr interessante Eigenschaften, z.B. bieten sie die Möglichkeit für kostengünstige Produktion und die Anwendung in flexiblen Devices. Dabei dienen oft Oligothiophene wie α-4T (Quaterthiophene) aufgrund ihres delokalisierten π-Elektronensystems als aktives Material. Das Derivat Dihexyltetrathiophen (DH4T) besitzt ähnliche elektronische Eigenschaften wie α-4T, bietet aber nicht nur die Möglichkeit der Vakuumsublimation, sondern kann auch aus der Lösung aufgebracht werden. Außerdem zeigt es hohe strukturelle Ordnung und damit eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit.

Wir untersuchen FET-Strukturen mit Kanallängen von 50 µm bis 1 µm. Hierzu wird DH4T als aktives Material sowohl durch OMBD als auch aus der Lösung auf Template bestehend aus oxidierten n-dotierten Siliziumwafern mit Source- und Drain-Elektroden aus Gold aufgebracht. Eine lang anliegende negative Gate-Spannung führt zu einer Verschiebung der Threshold-Spannung zu negativeren Werten, welches als Aufladen von Fallenzuständen interpretiert wird. Dieser Effekt ist reversibel, d.h. das Anlegen einer positiven Gate-Spannung und eine Temperaturerhöhung versetzen das Device in den Ausgangszustand.