Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.67: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Herstellung von in-plane-gate Transistoren durch fokussierte Ionenstrahlimplantation in GaN/AlGaN-HEMTs — •Andrè Ebbers, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

Durch Ar-Ionenätzen werden auf GaN/AlGaN HEMT-Strukturen von einander isolierte Mesen erzeugt. Ohmsche Ti/Al Kontakte werden aufgedampft und getempert.

Fokussierte Ionenstrahlen (Ga⁺, Au⁺, 100 keV, Fokusdurchmesser rd. 100 nm) in einem Dosisbereich von 1E9-1E12 cm⁻¹ bewirken lokale Isolation. Dies wird genutzt, um mittels isolierender Linien µm-breite Kanäle zu definieren. Über eine als (in-plane-) Gate wirkende Linie lässt sich die effektive Kanalbreite -bis zum vollständigen Abschnüren- variieren.

Es wird die Prozessierung beschrieben; IV-Kennlinien zum Isolationsverhalten und Messungen an den Transistoren werden vorgestellt.