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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.6: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Si und Zn Dotierung von B_xGa_1−x−yIn_yAs und In_xGa_1−xN_yAs_1−y mit der MOVPE — •Claudia Krahmer¹, Gunnar Leibiger¹, Gabriele Benndorf², Volker Gottschalch¹ und Volker Riede² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie — ²Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II

B_xGa_1−x−yIn_yAs und In_xGa_1−xN_yAs_1−y Mischkristalle sind als Absorberschichten in Mehrschichtsolarzellen von potenziellem Interesse. Es wurde die MOVPE-Darstellung von an (001) GaAs gitterangepassten B_xGa_1−x−yIn_yAs- und In_xGa_1−xN_yAs_1−y-Mischkristallschichten untersucht, und es wurden die optischen und elektronischen Eigenschaften ermittelt. Unter Verwendung von Triethylbor, Dimethylhydrazin sowie der Standardquellen TMGa, TMIn, und Arsin wurden dreidimensionale Epitaxieschichten auf (001) GaAs-Substraten abgeschieden. Die mit Photolumineszenz bestimmten Bandabstände betrugen für B_xGa_1−x−yIn_yAs (x_B=0.03) 1.36 eV und für In_xGa_1−xN_yAs_1−y (y_N=0.035) 0.9 eV. Diethylzink und Disilan wurden für die p- und n-Dotierung verwendet. Die mittels Hall-Messung bestimmten Ladungsträgerkonzentrationen und Beweglichkeiten der undotierten sowie der Zn- und Si-dotierten Schichten beider Mischkristallsysteme werden verglichen.