Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.72: Poster

Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Ab−initio Untersuchung der Hochdruckphasenübergänge β-tin → Imma → sh in Silizium — •Katalin Gaál-Nagy und Dieter Strauch — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

In diesem Beitrag wird eine Untersuchung der druckinduzierten, strukturellen Phasenübergänge in Silizium vorgestellt. Hierbei wird insbesondere auf die Phasenübergänge von der β-tin Phase in die Imma Phase und weiter in die sh Phase eingegangen. Zunächst werden die Gleichgewichtsparameter der beteiligten Strukturen bestimmt und mit experimentellen Daten verglichen. Anschliessend wird die Druckabhängigkeit der Gitterparameter sowie der elektronischen Bandstruktur untersucht. Schliesslich wird die Ordnung der Phasenübergänge diskutiert unter Einbeziehung der kritischen Größen wie z. B. der Übergangsvolumen, ebenso wie dem Verhalten der Gitterparameter beim Phasenübergang und der Höhe der Enthalpiebarrieren, die bei den Phasenübergängen überwunden werden müssen. Die Rechnungen werden im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) unter Verwendung ultrasofter Pseudopotentiale (US-PP) durchgeführt. Die Relaxationen wurden mit Hilfe der konjugierten Gradientenmethode (CG) vorgenommen, wie sie in VASP implementiert ist [1]. Ferner werden die Ergebnisse resultierend aus Rechnungen mit generalisierter Gradientennäherung (GGA) und lokaler Dichtenäherung (LDA) verglichen.

[1] G. Kresse, J. Furthmüller, Comput. Mat. Scie. 6, 15 (1996)