Dresden 2003 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.86: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Zeitaufgelöste Photolumineszenz an GaInN/GaN-Laserdioden — •C. Netzel¹, S. Heppel¹, A. Hangleiter¹, S. Miller², A. Weimar², G. Brüderl², A. Lell² und V. Härle² — ¹Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, D-38106 Braunschweig — ²OSRAM Opto Semiconductors, D-93049 Regensburg

In den letzten Jahren wurden auf GaN basierende Halbleiterlaser mit Emission im spektralen Bereich von grün/blau über violett bis ins UV entwickelt und vorgestellt. Vorwiegendes Problem bei der Entwicklung von Laserdioden (LDs) in diesem Materialsystem ist die kurze Lebenszeit und die starke Wärmeentwicklung, einhergehend mit hohen Schwellströmen. Letztere sind neben hohen Defektzahlen und hohen Zustandsdichten auch bedingt durch Verminderung des Gain durch Lokalisation von Ladungsträgern und interne piezoelektrische Felder. In dieser Arbeit werden bei ca. 400nm emittierende LDs mit unterschiedlichem Gain und Schwellstrom mittels zeitaufgelöster Photolumineszenz bis in den Pikosekundenbereich temperaturabhängig untersucht. Die erhaltenen Daten über strahlende und nichtstrahlende Rekombinationszeiten, Eigenschaften der Lumineszenzlinien und Quantenausbeuten der LDs mit unterschiedlicher Qualität werden untereinander und mit Daten von LEDs verglichen. Ziel der Untersuchung ist die Ermittlung optimaler struktureller Eigenschaften der aktiven Zone für LDs über strahlende und nichtstrahlende Rekombination.