Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.87: Poster
Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Analyse der Quantenausbeute von ultrahellen GaInN/GaN Quantenfilmen — •S. Lahmann, M. Greve, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, D-38106 Braunschweig
Um die Quantenausbeute bei Raumtemperatur von Ga1−xInxN/ GaN (0.05≤ x≤ 0.3) Quantenfilmen zu optimieren, wurden Quantenfilme mit verschiedenen In-Gehalten, Quantenfilmdicken und Dotierungen des Unterbaus gewachsen und mit Hilfe von temperaturaufgelösten Photolumineszenzmessungen sowie hochauflösender Röntgenbeugung charakterisiert. Bei allen Strukturen handelt es sich um GaInN/GaN MQWs mit AlGaN Elektronenbarrieren, die auf Saphir-Substraten mittels Metallorganischer Niederdruck Gasphasenepitaxie(MOVPE) gewachsen wurden. Die Quantenausbeute bei Raumtemperatur wurde aus der Temperaturabhängigkeit der integrierten PL-Intensität bestimmt. Die hierbei zugrundegelegte Annahme verschwindender nichtstrahlender Rekombination bei tiefer Temperatur wurde über die Abhängigkeit von der Anregungsleistung verifiziert.
Durch optimale Unterbau-Dotierung, Quantenfilmdicke und Indiumgehalt wurden Quantenausbeuten von bis zu 46% erreicht. Die aus den Messungen bestimmten Aktivierungsenergien lassen sich einer schwachen Lokalisierung bei tiefer Temperatur, der Dissoziation von Exzitonen sowie der thermischen Aktivierung über die Heterobarrieren zuordnen.