Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Poster I

HL 14.88: Poster

Monday, March 24, 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2

Untersuchungen zum Einfluß der Oberflächen auf die Lumineszenz von GaN-basierten Quantenfilmen — •A. Buchholz, M. Greve, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, D-38106 Braunschweig

Bei früheren Untersuchungen von InGaN/GaN-Quantenfilmen im Rasterelektronenmikroskop bei tiefen Temperaturen wurde ein reversibles und metastabiles „Umschalten“ der Lumineszenz beobachtet, wobei die Lumineszenzlinie um bis zu 80 nm bei gleichzeitiger Intensitätszunahme zu höheren Energien verschob. Zurückgeführt wurde dieser Prozeß auf die Ablösung von Adsorbaten aus der Probenoberfläche unter Elektronenbeschuß (elektronenstimulierte Desorption) und eine dadurch reduzierte Abschirmung der spontanen Polarisation. Systematische Untersuchungen erfolgen nun unter besser definierten Umgebungsbedingungen innerhalb einer Ultrahochvakuum(UHV)-Kammer mittels Kathodolumineszenz (KL) oder Photolumineszenz (PL). Die Zusammensetzung und Änderung des Restgasgehaltes in der Kammer wird über ein Quadrupolmassenspektrometer ermittelt. In der KL-Spektroskopie eines InGaN/GaN-Quantenfilmes im UHV bei Raumtemperatur zeigte sich eine Intensitätsabnahme der GaN-Emission bei 365nm, beleitet von der plötzlichen Entstehung eines InGaN-Signals bei etwa 420nm, dessen Intensität im Verlauf des Experimentes zunächst zu- und dann wieder abnimmt. Intensitätsauf- und abbau der InGaN-Emission beobachten wir an zahlreichen Proben und führen sie auf die Desorption schwach gebundener Spezies zurück.