Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
HL 14.89: Poster
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
Untersuchung der Morphologie von InxGa1−xN auf GaN-Pseudosubstraten — •Angelika Vennemann, Lüder A. Kahrs, Carsten Kruse, Roland Kröger, Peter L. Ryder und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28359 Bremen
InxGa1−xN -Quantenpunkte stellen eine viel versprechende Möglichkeit zur Variation der Wellenlänge von Lasern dar. Das Verständnis der Wachstumsmechanismen ist wesentlich für eine gezielte Beeinflussung der Morphologie. Dies ist ein wichtiger Schritt, um 3-dimensionales (3-D) Wachstum zur Erzeugung von Quantenpunkten zu erreichen.
InxGa1−xN-Schichten (0,05 < x < 1) wurden mittels Plasma-unterstützter Molekularstrahlepitaxie (PAMBE) hergestellt. Die Mikrostruktur dieser Schichten wurde mit Hilfe der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) untersucht und ihre chemische Zusammensetzung durch energiedispersive Röntgenanalyse (EDX) bestimmt.
Im Fall von InN (x = 1) wurde 3-D Wachstum der kubischen Phase beobachtet. Rasterkraftmikroskopische Untersuchungen zeigten Variationen der Morphologie von InxGa1−xN-Schichten. Die Ergebnisse der EDX-Messungen und von cross-section und plainview TEM werden in Hinblick auf eine Variation des Wachstumsmodus diskutiert.