Dresden 2003 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 14: Poster I
Montag, 24. März 2003, 17:00–19:30, HSZ/P2
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17:00 | HL 14.1 | Untersuchung der Precursor-Zerlegung in der MOVPE mittels Infrarot-Fourierspektroskopie — •Ch. Kaspari, F. Poser, S. Weeke und W. Richter |
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17:00 | HL 14.2 | Radiotracer-DLTS-Untersuchungen an GaAs mit Hilfe der radioaktiven Isotope 71As, 72Se und 73As — •F. Albrecht, G. Pasold, C. Hülsen, M. Dietrich, W. Witthuhn und die ISOLDE Collaboration |
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17:00 | HL 14.3 | Magnetotransport in dotierten Ga(As,N) und (Ga,In)(N,As) Schichten — •J. Teubert, P.J. Klar, W. Heimbrodt, K. Volz, J. Koch, M. Lampalzer und W. Stolz |
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17:00 | HL 14.4 | Site Selective Detection of Deep Level Centers by X-ray Absorption Fine Structure ? — •Joachim Bollmann, Steffen Knack, Jörg Weber, Edmund Welter, Heinz-Eberhard Mahnke, Vasil Koteski, and Rainer Sielemann |
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17:00 | HL 14.5 | Veränderungen von Bandstruktur und Kristallgitter in Ga(As,N) durch Hydrogenierung — •M. Güngerich, H. Grüning, P.J. Klar, W. Heimbrodt, J. Koch, T. Torunski, M. Lampalzer, W. Stolz, A. Polimeni und M. Capizzi |
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17:00 | HL 14.6 | Si und Zn Dotierung von BxGa1−x−yInyAs und InxGa1−xNyAs1−y mit der MOVPE — •Claudia Krahmer, Gunnar Leibiger, Gabriele Benndorf, Volker Gottschalch und Volker Riede |
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17:00 | HL 14.7 | GaAs wafer bonding using low energy hydrogen broad ion beam surface cleaning — •Nasser Razek, Axel Schindler, and Thomas Chasse |
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17:00 | HL 14.8 | Spin structures in inhomogeneous fractional quantum Hall systems — •Karel Vyborny and Daniela Pfannkuche |
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17:00 | HL 14.9 | Modellierung des chemisch unterstützten Ionenstrahlätzens von GaAs bei gepulstem Ionenbeschuss — •Jens Dienelt, Klaus Zimmer, Justus von Sonntag und Bernd Rauschenbach |
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17:00 | HL 14.10 | Electrical characterization of defect zones surrounding dislocations in semi-insulating GaAs. — •Andrei Sidelnicov, Winfried Siegel, and Günter Kühnel |
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17:00 | HL 14.11 | Spontane Selbstordnung in In0.75Ga0.25As0.5P0.5 auf atomarer Skala — •S. Kagel, M. Wenderoth, T. C. G. Reusch, J. Spieler, S. Neumann und R. G. Ulbrich |
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17:00 | HL 14.12 | Einfluß des Prägeprozesses auf die optischen und elektrischen Eigenschaften von QW Strukturen — •S. Zankovych, I. Maximov, I. Shorubalko, J. Seekamp, M. Beck, S. Romanov, D. Reuter, P. Schafmeister, A.D. Wieck, J. Ahopelto, C.M. Sotomayor Torres und L. Montelius |
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17:00 | HL 14.13 | VUV-XUV-Ellipsometrie mit Synchrotronstrahlung: Optische Charakterisierung von Nitridhalbleitern — •Munise Rakel, C. Cobet, T. Schmidling, M. Drago, W. Richter, N. Esser und O. Ambacher |
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17:00 | HL 14.14 | Kombinierte Spin-Zyklotronresonanz in Zweidimensionalen Elektronengasen in InAs — •Carsten Zehnder, Karsten Bittkau, Can-Ming Hu und Detlef Heitmann |
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17:00 | HL 14.15 | Aufbau eines MOVPE integrierten in-situ AFM / STM — •M. Breusing, R. Kremzow, B. Rähmer und W. Richter |
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17:00 | HL 14.16 | Zweidimensionale n-Typ In-Plane-Gate JFETs, hergestellt durch Überkompensationsdotierung einer p-leitenden AlxGa1−xAs/InyGa1−yAs/GaAs Heterostruktur — •Andrea Seekamp, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck |
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17:00 | HL 14.17 | Poly-Si IPG transistors for AMLCD — •Artsiom Lapanik and Andreas Wieck |
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17:00 | HL 14.18 | Herstellung von lateralen Bipolartransistoren mit fokussierten Ionenstrahlen — •C. Werner, C. Werner, C. Riedesel, D. Reuter, A. D. Wieck, C. Riedesel und A. D. Wieck |
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17:00 | HL 14.19 | Strukturuntersuchungen an MOCVD- ZnO-Schichten — •Steffi Deiter, Marco Adam, Jürgen Bläsing, Nikoley Oleynik, Anette Diez, Armin Dadgar und Alois Krost |
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17:00 | HL 14.20 | MOCVD-Wachstum von ZnO mit tert-Butanol als O-Precursor — •N. Oleynik, A. Dadgar, M. Adam, D. Forster, F. Bertram, J. Bläsing, A. Krtschil, A. Diez, J. Christen und A. Krost |
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17:00 | HL 14.21 | Hydrogen-related defects in ZnO studied by infrared absorption spectroscopy — •F. Börrnert, E.V. Lavrov, J. Weber, Chris G. Van de Walle, and R. Helbig |
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17:00 | HL 14.22 | Resonante Rayleighstreuung, PLE und Hochanregung an ZnO Epitaxieschichten — •Heiko Priller, Robert Hauschild, Thomas Gruber, Christoph Kirchner, Andreas Waag, Claus Klingshirn und Heinz Kalt |
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17:00 | HL 14.23 | Elektronische Bandstruktur des ternären Mischkristalls Zn1−yCdyO mittels Empirischer Pseudopotential(EPP)- und k·p-Rechnungen — •Daniel Fritsch, Heidemarie Schmidt und Marius Grundmann |
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17:00 | HL 14.24 | Lattice Relaxation around Arsenic in Silicon and CdTe — •Vasil Koteski, Heinz Haas, Elisabeth Holub-Krappe, Nenad Ivanovic, and Heinz-Eberhard Mahnke |
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17:00 | HL 14.25 | Optische Übergänge und Brechungsindices von MgxZn1−xO — •R. Schmidt-Grund, B. Rheinländer, M. Schubert, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, D. Speeman, G. Wagner, A. Rahm, C. M. Herzinger und M. Grundmann |
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17:00 | HL 14.26 | Molekularstrahlepitaxie, Charakterisierung und Kompositionseichung von Zn1−xMnxSe-Schichten — •B. Daniel, J. Kvietkova, M. Hetterich, H. Priller, J. Lupaca-Schomber, C. Klingshirn, D. Spemann, M. Schubert, N. Ashkenov, P. Pfundstein, D. Gerthsen und K. Eichhorn |
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17:00 | HL 14.27 | Studies of the degradation mechanism in CdZnSSe quantum well laser diodes — •Elena Roventa, Roland Kröger, Matthias Klude, Peter L. Ryder, and Detlef Hommel |
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17:00 | HL 14.28 | Pulsed laser deposition of high quality epitaxial ZnO, (Mg, Cd) x Zn 1−x O, and ZnO:(Ga, Al) thin films on c-, a-, and r-plane sapphire — •Michael Lorenz, Evgeni M. Kaidashev, Holger Hochmuth, Daniel Spemann, Volker Riede, Carsten Bundesmann, Holger von Wenckstern, Andreas Rahm, Gabriele Benndorf, and Marius Grundmann |
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17:00 | HL 14.29 | Photolulmineszenz an PLD ZnO-Dünnschichten auf verschieden orientierten Saphir-Substraten — •Wolfram Czakai, Gabriele Benndorf, Evgeni M. Kaidashev, Michael Lorenz und Marius Grundmann |
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17:00 | HL 14.30 | Spinflip-Ramanspektroskopische Untersuchungen an hochdotierten semimagnetischen ZnMnSe Volumenproben und Quantentrögen — •M. Lentze, D. Wolverson, P. Grabs, G. Schmidt und J. Geurts |
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17:00 | HL 14.31 | Ionenimplantation in ZnO — •F. Reuß, C. Kirchner, Th. Gruber, R. Kling, S. Mascheck, W. Limmer, D. Klarer, K. Thonke, P. Ziemann, R. Sauer und A. Waag |
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17:00 | HL 14.32 | C(V)- und DLTS-Messungen an MOVPE-ZnO — •Dietmar Klarer, Thomas Gruber, Christoph Kirchner, Andreas Waag, Klaus Thonke und Rolf Sauer |
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17:00 | HL 14.33 | Herstellung und Charakterisierung von (Zn,Mg)Se Schichten — •Christof Arens, Alexander Pawlis, Detlef Schikora, Donat Josef As und Klaus Lischka |
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17:00 | HL 14.34 | Mikroskopische Untersuchung der Lumineszenz in ZnCdO-Schichten — •Daniel Forster, Frank Bertram, Jürgen Christen, Christoph Kirchner, Thomas Gruber und Andreas Waag |
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17:00 | HL 14.35 | DLTS Charakterisierung von dünnen ZnO PLD Filmen — •Holger von Wenckstern, Holger von Wenckstern, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain, Marius Grundmann, Gisela Biehne, Michael Lorenz, Rainer Pickenhain und Marius Grundmann |
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17:00 | HL 14.36 | Flache Gallium Donatoren in ZnO — •Daniel Pfisterer, Arndt Zeuner, Frank Leiter, Detlev M. Hofmann, Bruno K. Meyer und Helder Alves |
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17:00 | HL 14.37 | Stickstoff Akzeptoren in CVD ZnO — •Bjoern Spruck, Arndt Zeuner, Helder Alvez, Detlev M. Hofmann, Bruno K. Meyer, Daniel Pfisterer, Manfred Dworzak, Martin Strassburg, Ute Haboeck und Axel Hoffmann |
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17:00 | HL 14.38 | Hochauflösende Röntgenbeugung an PLD- ZnO und Zn1−xMgxO Dünnfilmen auf Saphir — •Andreas Rahm, Evgeni Kaidashev, Michael Lorenz, H.-C. Semmelhack und Marius Grundmann |
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17:00 | HL 14.39 | Liquid metal ion sources for FIB implantation of magnetic ions — •Alexander Melnikov, Sinan Uenluebayir, Safak Gök, Peter Schafmeister, Rolf Wernhardt, Peter Stauche, Dirk Reuter, and Andreas D. Wieck |
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17:00 | HL 14.40 | Determination of doping profile in δ - doped layers by micro-Raman spectroscopy on beveled samples — •R. Srnanek, M. Lentze, J. Geurts, P. Kordos, A. Förster, B. Sciana, D. Radziewicz, and M. Tlaczala |
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17:00 | HL 14.41 | P3HT films : Cristalline order, electronic and optical properties — •Stefan Hugger, Ingo Blum, Marcel Lorenz, Thomas Thurn-Albrecht, and Thomas Heinzel |
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17:00 | HL 14.42 | Untersuchung der Grenzfläche zwischen SiO2 und Cu-Phthalocyanin mittels Photoelektronenspektroskopie — •Dominik Olligs, Heiko Peisert, Martin Knupfer und Jörg Fink |
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17:00 | HL 14.43 | Hole transport and trapping in binary triphenyldiamine mixtures — •Claus Jäger, Dietrich Haarer, and Mukundan Thelakkat |
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17:00 | HL 14.44 | Time resolved measurements on multilayer OLEDs with special attention on electron mobility of Alq3 and layer thickness influences — •O. Schneider, F. Kozlowski, J. Blochwitz-Nimoth, M. Pfeiffer, and K. Leo |
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17:00 | HL 14.45 | Electro-absorption and internal electric field distribution in organic single layer devices — •Wenge guo, Jens Drechsel, Karin Schmidt, Michael Hoffmann, and Karl Leo |
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17:00 | HL 14.46 | Numerical simulation of organic solar cells — •Fryderyk Kozlowski, Martin Pfeiffer, Jens Drechsel, Bert Maennig, Desta Gebeyehu, and Karl Leo |
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17:00 | HL 14.47 | Ellipsometric characterisation of phthalocyanine thin films — •O.D. Gordan, M. Friedrich, O. Sychugova, and D.R.T. Zahn |
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17:00 | HL 14.48 | Pyronin B as a donor for n-type doping of organic thin films — •Fenghong Li, Ansgar Werner, Kentaro Harada, Martin Pfeiffer, Susanne Machill, Torsten Fritz, and Karl Leo |
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17:00 | HL 14.49 | Diffusion von Triplett - Exzitonen in organischen Mischsystemen — •Steffen Grundmann, Jens Drechsel, Martin Pfeiffer und Karl Leo |
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17:00 | HL 14.50 | Structural and optical anisotropy of poly(3-octylthiophene) films — •Tobias Erb, Sofiya Raleva, Uladzimir Zhokhavets, Gerhard Gobsch, Bernd Stühn, Matthias Spode, and Oliver Ambacher |
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17:00 | HL 14.51 | Investigation of the GaAs-PTCDA diodes in the low and high frequency ranges — •Georgi Ginev, Radoslav Parashkov, Tomas Riedl, Hans-Hermann Johannes, and Wolfgang Kowalsky |
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17:00 | HL 14.52 | Exciton diffusion in PTCDA studied by luminescence quenching experiments — •R. Schüppel, A. Holzhey, L. Staemmler, and M. Hoffmann |
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17:00 | HL 14.53 | DH4T-Feldeffekt-Transistoren hergestellt mittels Sublimation oder aus Lösung — •T. Muck, M. Leufgen, J. Geurts, A. Lebib, G. Schmidt, L.W. Molenkamp, V. Wagner und L.H. Gomes |
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17:00 | HL 14.54 | Meso-structured Conjugated Polymeric Systems for Photovoltaic Application - Nanostructured Layers and Phase-separating Blends or Block Copolymers — •V.G. Solovyev, F. Bulut, T. Farrell, R. G*ntner, U. Scherf, J. Seekamp, C.M. Sotomayor Torres, T. Kietzke, D. Neher, and a. b. |
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17:00 | HL 14.55 | High-efficiency electrophosphorescent organic light-emitting diodes with double doped light-emitting layers — •xiang zhou, Dashan Qin, Jan Blochwitz-Nimoth, Martin Pfeiffer, and Karl Leo |
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17:00 | HL 14.56 | Gas exposed phthalocyanine thin films on H-passivated Si studied by Inverse Photoemission Spectroscopy — •M. Gorgoi, T.U. Kampen, and D.R.T. Zahn |
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17:00 | HL 14.57 | Raman Scattering Study of C60 Based Organic Field Effect Transistors — •Beynor A. Paez, M. Bartzsch, S. Silaghi, T.U. Kampen, and D.R.T. Zahn |
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17:00 | HL 14.58 | Modification of S-GaAs(100) surface properties by deposition of DiMe-PTCDI organic layers — •Henry Mendez, G. Gavrila, A. Das, M. Gorgoi, F. Winter, R. Weber, D. Pop, T.U. Kampen, W. Braun, and D.R.T. Zahn |
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17:00 | HL 14.59 | Microscopic assignments of time-resolved photoluminescence in α-PTCDA single crystals — •Reinhard Scholz, Andrei Yu. Kobitski, Igor Vragović, Thorsten U. Kampen, Hans-Peter Wagner, and Dietrich R. T. Zahn |
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17:00 | HL 14.60 | Wasserstoffdiffusion in amorphen Si-B-C-N-Keramiken — •W. Gruber, H. Schmidt, G. Borchardt, A. Müller und J. Bill |
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17:00 | HL 14.61 | Photoluminescence characterization of the defects formed by ion implantation in Si — •Tzanimir Arguirov, Martin Kittler, Winfried Seifert, and Jürgen Reif |
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17:00 | HL 14.62 | Group-IV and group-V substitutional impurities in cubic group-III nitrides — •Luis E. Ramos, Jürgen Furthmüller, and Friedhelm Bechstedt |
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17:00 | HL 14.63 | Time-resolved far-infrared laser spectroscopy of quantum Hall systems — •C. Stellmach, A. Hirsch, N. G. Kalugin, H.-W. Hübers, S. G. Pavlov, B. E. Sagol, G. Hein, and G. Nachtwei |
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17:00 | HL 14.64 | A fast and easy tool for optimisation of GaN based laser diodes growth — •Viorel Dumitru, Ralf Härle, Alexei Ivanov, Galina Moutchnik, Ferdinand Scholz, and Heinz Schweizer |
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17:00 | HL 14.65 | Selbstjustierende Prozessierung indexgeführter InGaN/GaN-Laserdioden mit Stegwellenleiter — •A. Leber, A. Weimar, S. Miller, S. Bader, G. Brüderl, V. Kümmler, A. Lell und V. Härle |
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17:00 | HL 14.66 | Alterungs–Untersuchungen von (In/Al)GaN Lasern mit Verstärkungs-Messungen nach Hakki–Paoli — •Evi Sturm, Ulrich T. Schwarz, Stefan Bader, Andreas Weimar, Volker Kümmler, Georg Brüderl, Alfred Lell und Volker Härle |
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17:00 | HL 14.67 | Herstellung von in-plane-gate Transistoren durch fokussierte Ionenstrahlimplantation in GaN/AlGaN-HEMTs — •Andrè Ebbers, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck |
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17:00 | HL 14.68 | A dominant radiation defect in boron-doped silicon revealed by hydrogenation — •N. Yarykin and J. Weber |
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17:00 | HL 14.69 | Structure and Temperature Dependence of Dynamical Properties of Fluoride Crystals — •Karin Schmalzl, Dieter Strauch, and Helmut Schober |
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17:00 | HL 14.70 |
Growth and characterisation of Ge- and GexSi1−x- multilayers on virtual GeSi-substrates — •T. Wietler, N. Hoffmann, E. Bugiel, and K.R. Hofmann |
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17:00 | HL 14.71 | Nonlinear transport in p-type SiGe quantum well structure containing Ge quantum dots — •K.-M. Haendel, R. J. Haug, U. Denker, O. G. Schmidt, K Eberl und A. G. M. Jansen |
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17:00 | HL 14.72 | Ab−initio Untersuchung der Hochdruckphasenübergänge β-tin → Imma → sh in Silizium — •Katalin Gaál-Nagy und Dieter Strauch |
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17:00 | HL 14.73 | Self-consistent calculations of potential energy and charge distributions for strained Si/SiGe based semiconductor devices — •P. N. Racec, Mirela Georgescu, E. R. Racec, and Ulrich Wulf |
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17:00 | HL 14.74 | Wavefunction–based correlation calculations for extended systems: Determination of the quasi–particle band structure — •Viktor Bezugly and Uwe Birkenheuer |
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17:00 | HL 14.75 | Ab initio Determination of Correlated Wavefunctions for Excited Hole and Electron Capture States in Solids — •Uwe Birkenheuer, Christa Willnauer, and Malte von Arnim |
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17:00 | HL 14.76 | Optimierung des EMR in Halbleiter–Metall–Hybridstrukturen — •Matthias Holz, Oliver Kronenwerth und Dirk Grundler |
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17:00 | HL 14.77 | Magnetotransport in mikrostrukturierten Halbleiter-Metall-Hybridstrukturen — •Claas Henrik Möller, Oliver Kronenwerth, Dirk Grundler, Christian Heyn und Detlef Heitmann |
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17:00 | HL 14.78 | Hallmagnetometrie an nanostrukturierten ferromagnetischen Filmen — •S. Hoch, D. Diaconescu, G. Dumpich, B. Hausmanns, D. Reuter, B. Stahlmecke und A. D. Wieck |
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17:00 | HL 14.79 | Detailed Studies of the Magnetoresistance at the Metal-Insulator Transition of Graphite — •H. Kempa and P. Esquinazi |
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17:00 | HL 14.80 | A Field-Effect Transistor from Graphite - No Effect of Low Gate Fields — •Pablo Esquinazi and Heiko Kempa |
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17:00 | HL 14.81 | The Anderson Model of Localization with Scale-Free Disorder — •Macleans L. Ndawana, Rudolf A. Römer, and Michael Schreiber |
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17:00 | HL 14.82 | Direct patterning of GaN-heterostructures using an AFM with diamond tip — •A. Mühle, U. F. Keyser, R. J. Haug, E. Oesterschulze, and W. Knap |
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17:00 | HL 14.83 | Untersuchung der submikroskopischen elektrischen Eigenschaften von GaN-Schichten und Korrelation mit makroskopischen Transportparametern — •Andre Krtschil, Hartmut Witte, Kevin Flügge, Armin Dadgar und Alois Krost |
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17:00 | HL 14.84 | Charakterisierung von InGaN/GaN-Quantumwellstrukturen auf Silizium-Substrat — •K. Fehse, M. Poschenrieder, F. Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, A. Diez, J. Christen und A. Krost |
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17:00 | HL 14.85 | Mikro-Photolumineszenz (µPL)–Untersuchungen an ELOG-GaN Schichten — •Nikolaus Gmeinwieser, Ulrich T. Schwarz, Werner Wegscheider, Stefan Bader, Andreas Weimar, Volker Kümmler, Georg Brüderl, Alfred Lell und Volker Härle |
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17:00 | HL 14.86 | Zeitaufgelöste Photolumineszenz an GaInN/GaN-Laserdioden — •C. Netzel, S. Heppel, A. Hangleiter, S. Miller, A. Weimar, G. Brüderl, A. Lell und V. Härle |
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17:00 | HL 14.87 | Analyse der Quantenausbeute von ultrahellen GaInN/GaN Quantenfilmen — •S. Lahmann, M. Greve, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hangleiter |
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17:00 | HL 14.88 | Untersuchungen zum Einfluß der Oberflächen auf die Lumineszenz von GaN-basierten Quantenfilmen — •A. Buchholz, M. Greve, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter |
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17:00 | HL 14.89 | Untersuchung der Morphologie von InxGa1−xN auf GaN-Pseudosubstraten — •Angelika Vennemann, Lüder A. Kahrs, Carsten Kruse, Roland Kröger, Peter L. Ryder und Detlef Hommel |
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17:00 | HL 14.90 | Tiefenaufgelöste Kathodolumineszenzmessungen an kubischen AlxGa1−xN/GaN-Multiquantumwell-Strukturen — •Stefan Potthast, Donat As und Klaus Lischka |
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17:00 | HL 14.91 | Carbon Doping of cubic GaN Under Gallium-rich Growth Conditions — •David Pacheco-Salazar, Stephan Preuss, Martin Lübbers, Jürgen Mimkes, Donat As, and Klaus Lischka |
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17:00 | HL 14.92 | Electrical Conduction of AlGaN/GaN 2DEG Heterostructures grown on Si(111) — •M. Kočan, M. Bertelli, E. Donà, A. Rizzi, and H. Lüth |
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17:00 | HL 14.93 | In-situ Wachstumscharakterisierung von Gruppe III-Nitriden in MOVPE mit spektroskopischer Ellipsometrie — •Torsten Schmidtling, Sven Peters, Massimo Drago, Udo W. Pohl und Wolfgang Richter |
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17:00 | HL 14.94 | Organic photonic crystal lasers on a metal nanoparticle array — •J. Stehr, J. Crewett, F. Schindler, T. A. Klar, U. Lemmer, A. Holleitner, U. Scherf, and J. Feldmann |
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17:00 | HL 14.95 | Optische Bestimmung von lokalen Schwankungen der Ladungsträgerdichte in multikristallinen Siliziumsolarzellen — •Viktor Schlosser, Milena Dineva, Wilhelm Markowitsch, Gerhard Klinger, Peter Bajons, Rita Ebner und Johann Summhammer |
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17:00 | HL 14.96 | Correlation of Local Morphological and Optoelectronic Features of Cu(GaIn)Se2 Solar Cell Absorbers in the 2-Dimensional Spatial Frequency Domain — •G. H. Bauer, R. Fuhrmann, R. Brüggemann, K. Bothe und T. Unold |
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17:00 | HL 14.97 | RECOMBINATION STUDIES IN a-Si:H/c-Si-HETEROJUNTIONS BY CALIBRATED PHOTOLUMINESCENCE — •Saioa Tardon, Rudolf Brueggemann, Thomas Unold, and G.H. Bauer |
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17:00 | HL 14.98 | Elektronenspektroskopie an Kupferindiumdisulfid Oberflächen — •Klaus Müller und Dieter Schmeisser |