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HL: Halbleiterphysik

HL 18: SiC II

HL 18.2: Vortrag

Dienstag, 25. März 2003, 11:15–11:30, BEY/118

Elektrische Charakterisierung von 3C-SiC/Si(111) Heterodioden mit modifizierten Grenzflächen — •Christian Förster, Jörg Pezoldt, Thomas Stauden und Oliver Ambacher — Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien, Technische Universität Ilmenau, PF100565, 98693 Ilmenau

Unter Verwendung von Elektronenstrahlverdampfern wurden mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie 3C-SiC/Si(111)-Heterodioden hergestellt. Um die biaxiale Verspannung der etwa 120 nm dicken SiC-Schichten zu reduzieren und deren strukturelle Qualität zu erhöhen, wurden die Si(111)-Substrate vor der eigentlichen Epitaxie mit etwa einer Monolage Ge bedampft und getempert. Indizien für eine positive Auswirkung dieser Grenzflächenmodifizierung konnte durch Röntgenbeugung erbracht werden. Ziel dieser Arbeit war die elektrische Cha-rakterisierung prozessierter Heterodioden mit Hilfe von Hall-Effekt Messungen sowie der Aufnahme von Strom-Spannungs- und Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien. Durch diese Experimente kann gezeigt werden, dass der Einbau des Ge nahe der Grenzfläche sowohl den Idealitätsfaktor, als auch das Sperrverhalten der Dioden verbessert. Weiterhin kann eine Abnahme der Grenzflächendefektdichte mit steigendem Germaniumgehalt aus den elektrischen Daten nachgewiesen werden. Außerdem erlaubt das Germanium eine Modifikation des Bandoffsets.