Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Organische Halbleiter I

HL 19.6: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 12:15–12:30, BEY/81

Bestimmung von Trap-Parametern aus der Steilheit organischen Feldeffekt-Transistoren — •Ingo Hörselmann¹, Susanne Scheinert¹, Andrei Herasimovich¹ und Gernot Paasch² — ¹TU Ilmenau — ²IFW Dresden

Durch Simulationen gemessener Subthresholdkennlinien von P3DDT - OFETs mit P4VP als organischem Isolator konnte gezeigt werden, dass akzeptor- bzw. donatorartige Traps entweder an der Grenzfläche oder im Bulk den hohen inversen Subthresholdanstieg von ca. 7V/dec verursachen können. Da Traps auch das dynamische Verhalten der Bauelemente verändern, wurde mit Hilfe der 2D-Simulation ihr Einfluss auf die Steilheit der Transistoren mit dem Ziel untersucht, aus dem Frequenzgang charakteristische Parameter der Traps zu bestimmen. Die Ergebnisse zeigen, dass sich sowohl die Aktivierungsenergien als auch die Größenordnung der Einfangquerschnitte bestimmen lassen, jedoch ist eine Unterscheidung in akzeptorische und donatorische Traps nicht möglich. Das Verhalten der Traps entspricht dem eines Tiefpasses, so dass das Verfahren bei kleinen Aktivierungsenergien nur dann anwendbar ist, wenn die Grenzfrequenz dieses Tiefpasses unterhalb der durch die Relaxationszeit der Majoritätsträger definierten Grenzfrequenz liegt. Die Bestimmung hoher Aktivierungsenergien, die zu kleinen Grenzfrequenzen führen, wird durch die untere Grenzfrequenz des Messgerätes begrenzt.