Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 19: Organische Halbleiter I

HL 19.7: Talk

Tuesday, March 25, 2003, 12:30–12:45, BEY/81

Hysterese in organischen MOS Bauelementen — •Thomas Lindner¹, Gernot Paasch¹ und Susanne Scheinert² — ¹IFW Dresden — ²TU Ilmenau

Organische Feldeffekt-Transistoren zeigen derzeit überwiegend unerwünschte Hysterese-Effekte, die experimentell noch nicht hinreichend charakterisiert und noch weniger von ihren Ursachen her verstanden sind. In der Literatur finden sich nur Vermutungen, dass Trap-Umladungen oder aber bewegliche Ionen (im organischen Halbleiter oder im Isolator) ursächlich seien. Wir berichten zusammenfassend über die systematische Charakterisierung von Hysterese-Effekten in organischen MOS-Kondensatoren und Feldeffekt-Transistoren auf der Basis von Arylamino-PPV, MEH-TPD-PPV, P3OT und P3DDT. Das beobachtete Verhalten bei Variation verschiedener Meßbedingungen und Parameter läßt es fraglich erscheinen, dass ein einziger Prozeß die Hysterese verursacht. Zum grundsätzlichen theoretischen Studium dieser Effekte eignen sich bereits die im Aufbau einfacheren MOS Kondensatoren. Es werden Ergebnisse numerischer Simulationen vorgestellt, bei denen die Existenz von Traps unterschiedlicher Lage und energetischer und räumlicher Verteilungen vorausgesetzt wird. Es werden die Bedingungen analysiert, unter denen bei diesen Voraussetzungen Hysterese-Effekte auftreten, und resultierende Hysteresen werden mit experimentell ermittelten verglichen.