Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.12: Talk

Monday, March 24, 2003, 13:15–13:30, BEY/118

Schnelle, spektrale Ellipsometrie beim Wachstum von III/V Heterostrukturen und Quantenpunkten — •S. Weeke, A. Wirsig, F. Poser und W. Richter — Technische Universität Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die Untersuchung von schnellen Wachstumsprozessen in der Metallorganischen Gasphasenepitaxie mittels Ellipsometrie erfordert wesentlich höhere Zeitauflösungen, als sie mit konventionellen Ellipsometern erreichbar sind. Um die Zeitauflösung zu erhöhen, wurde ein schnelles, spektrales (1.5 - 5.5eV) in-situ-Ellipsometer aufgebaut. Mit diesem schnellen Ellipsometer konnten in-situ-Meßungen an III/V Halbleitern mit Meßzeiten von deutlich unter 1 Sekunde pro Spektrum durchgeführt werden. Im Vordergrund der Untersuchungen stehen Grenzflächenprozesse bei der Heteroepitaxie (z.B. AlAs/GaAs) sowie Deoxidations- und Wachstumsprozesse von weniger gut untersuchten Materialsystemen (GaSb). Mit Hilfe der gewonnenen Daten sollen zum Beispiel Wachstumsraten bestimmt und die dielektrischen Funktionen der untersuchten Materialien während der Ausbildung von Schichtstrukturen und Quantenpunkten gemessen werden.