Dresden 2003 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: III-V Halbleiter

HL 2.3: Talk

Monday, March 24, 2003, 11:00–11:15, BEY/118

Untersuchung der Segregation von In in InGaAs/GaAs Quantentrogstrukturen — •Manuel Melzer¹, Marco Schowalter¹, Andreas Rosenauer¹, Dagmar Gerthsen¹ und Johann-Peter Reithmeier² — ¹Universität Karlsruhe (TH), Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Engesser Straße 7, 76128 Karlsruhe — ²Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Wir untersuchen die chemische Zusammensetzung von InGaAs/GaAs Quantentrogstrukturen auf atomarer Ebene. Es handelt sich um zwei Proben mit jeweils 6 InAs Schichten unterschiedlicher nomineller In-Konzentration, die mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf (001) orientiertem GaAs bei Wachstumstemperaturen von T=450^∘C und T=510^∘C gewachsen wurden. Die Proben wurden im Querschnitt mittels Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Chemische Profile der InAs-Schichten in [100]-Richtung wurden mit der Auswertemethode CELFA (composition evaluation by lattice fringe analysis) aus hochaufgelösten Gitterebenenabbildungen bestimmt. Die Segregationskonstante R ergibt sich aus der Anpassung der gemessenen Konzentrationsprofile mit dem Modell von Muraki [K. Muraki et al., APL, 61, 557 (1992)].