Dresden 2003 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: III-V Halbleiter
HL 2.5: Talk
Monday, March 24, 2003, 11:30–11:45, BEY/118
In-situ RAS bei der p-Dotierung von MOCVD gewachsenem GaSb(100) — •Zadig Kollonitsch1, Kristof Möller1, Christoph Giesen2, Michael Heuken2, Frank Willig1 und Thomas Hannappel1 — 1Hahn-Meitner-Institut, SE4, Glienicker Straße 100, D-14109 > Berlin — 2AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen
> Reflexions Anisotropie/Differenz Spektroskopie (RAS/RDS) kann zur > Beobachtung von Wachstumsmechanismen und der Oberflächenpräparation von > Halbleitern in der MOCVD-Atmosphäre eingesetzt werden. Bei vielen III-V > Halbleitern wird die optische Anisotropie hauptsächlich durch die > Oberflächenrekonstruktionen bestimmt. Zusätzliche Strukturen im > RA-Spektrum können durch eine Raumladungszone hervorgerufen werden. > Raumladungszonen entstehen vor allem an Heterokontakten oder an > Oberflächen von dotierten Halbleitern. In GaSb(100) RA-Spektren ergeben > sich bei Dotierung Peaks an den E1 und E1+Δ1 Interband > Übergängen, die mit zunehmender Dotierung stärker werden. Hall- und > SIMS-Messungen werden mit den in-situ RA-Spektren korreliert. Eine > quantitative Auswertung der RAS-Peaks zeigt für beide Dotanden einen > linearen Zusammenhang mit der Ladungsträgerkonzentration. Die Schichten > wurden in einer AIX200 MOCVD-Anlage abgeschieden. Zur p-Dotierung mit den > Gruppe IV Elementen C und Si wurden die alternativen Quellen > Tetrabromkohlenstoff (CBr4) und Ditertiärbutylsilizium (DTBSi) > eingesetzt. >